SJ 50033.68-1995 半导体分立器件.BT51型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范
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2EBB3521C6E14689B1EF1BDC03C22FFA |
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2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/68-1995,半导体分立器件,BT5!型NPN硅小功率差分对,晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type BT51 NPN silicon,small power difference matched - pair transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,BT5!型NPN硅小功率差分对,晶体管详细规范,Semiconductor discrete device Detail,specification for type BT51 NPN-silicon small,Power difference matched pair transistor,SJ 50033/68-1995,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 BT51型NPN硅小功率差分对晶体管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研究、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军级三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587— 84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB128-86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01 实施,—1 —,SJ 50033/68-1995,引出端材料为可伐,引出端表面涂层应为镀金,镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选,择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定(见6.4),3.2.2 器件结构,器件采用NPN硅外延平面双极型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB7581的A6-02A型及如下规定。见图!0,mm,溪A6-O2A,最小值标称值最大值,A 6.10 6.60,如5.08*,輔1 L01,帆0.407 0.450 0.508,初8,64 9.39,他8.01 8.50,0.712 0.787 0.863,K 0.740 1.14,L 12,5 25司,Li 1.27,引出端极性,1 .发射板1 7.发射极2,2 .基极1 8.基极2,3,集电极1 5.集电极2,33最大额定值和主要电特性,3.3.1最大额定值,型,号,p 1),Tc = 25 じ,匕因,(V),Vgeo,(V),Vebo,(V) (mA),丁jm,(t),ア睥,(V),BT51,BT51A,BT51B,100X2 30 20 5 30 175 -55-150,注:DTc>25七时按0.57W/C的速率降额,3.3.2主要电特性(丁ん=25じ),2,下载,SJ 50033/68-1995,参 数,型 号,极限值,符号(单位) 测试条件最小值最大值,八也Vce = 5% /C = 10mA 所有型号40 200,& (V) /c= 10mA,"エ 1mA 所有型号— 0.5,fi (MHz),に 二 10mA,ピ3二10 匕,30MHz,所有型号100,ム国ノん的”,Vce = 5V,Ic- EOmA,BT51,BT51A,BT51B,0.95,0.90,0.85,ム(pF) 所有型号— 5,注:D较大的数为分母,3.4标志,器件的标志应符合GJB 33的规定,4质量保证视定,4.! 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT级),筛选应按GJB 33和本规范的规定,其测试应按本规范表1进行。超过本规范表1极限值,的器件应予剔除,筛 选测试和试验,7.中间电参数和△参数测试£而,んFE上るFE1/人加,8,功率老化77 = 25±3じ,V\b = 10V,卩ピ=lOOmWX 2,9.最后测试按本规范表1和A2分组,△,由二初始值的1QQ%或0.5g取其较大者,AAfe= ±20%,4.4 质量一致性检験,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检睑应按GJB 33和本规范表1的规定进行,<4,4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(△)要求按本规范,表4的步驟进行,4.4.3 C组检验,-3 -,SJ 50033/68-1995,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量要求按本规范,表4的步骤进行,4.5 检验和试验方法,4.5.I 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.2.1的规定,4.5.2 基极ー发射极电压测试,将两个单管的发射极连接在ー起,对每个单管采用规定的试验条件并符合GB 4587的2.,4方法.在两个单管之间直接测得基极i发射机的电压差I Vbf.1-VBE2O,4.53基极ー发射极电压差随温度变化的测试,按本规范4.5.2条规定的方法,在两个规定的温度下测试基板ー发射极电压差的数值,并,按如下公式计算:,I △( VbEI 一 V……
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